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NIST溯源(yuan)計量(liang)法測，苯(ben)乙烯(xi)-對苯(ben)二(er)烯(xi)共聚(ju)物DVB尺(chi)度標(biao)準微粒(li)，用(yong)于激光散射儀器的(de)驗(yan)證。尺(chi)度均勻(yun)的(de)苯(ben)乙烯(xi)-對苯(ben)二(er)烯(xi)共聚(ju)物微粒(li)，模擬真實環境中顆(ke)粒(li)物的(de)分(fen)布狀況

杜克標(biao)準(zhun)粒(li)(li)子(zi)(zi) 熱電粒(li)(li)子(zi)(zi) 熱電標(biao)準(zhun)粒(li)(li)子(zi)(zi) thermo粒(li)(li)子(zi)(zi) thermo標(biao)準(zhun)粒(li)(li)子(zi)(zi) 賽(sai)默(mo)粒(li)(li)子(zi)(zi) 賽(sai)默(mo)標(biao)準(zhun)粒(li)(li)子(zi)(zi)飛世爾粒(li)(li)子(zi)(zi) 飛世爾標(biao)準(zhun)粒(li)(li)子(zi)(zi) fisher粒(li)(li)子(zi)(zi)

杜克標(biao)(biao)準粒(li)(li)(li)(li)子(zi) 熱(re)電(dian)粒(li)(li)(li)(li)子(zi) 熱(re)電(dian)標(biao)(biao)準粒(li)(li)(li)(li)子(zi) thermo粒(li)(li)(li)(li)子(zi) thermo標(biao)(biao)準粒(li)(li)(li)(li)子(zi) 賽默粒(li)(li)(li)(li)子(zi) 賽默標(biao)(biao)準粒(li)(li)(li)(li)子(zi)飛世爾(er)粒(li)(li)(li)(li)子(zi) 飛世爾(er)標(biao)(biao)準粒(li)(li)(li)(li)子(zi) fisher粒(li)(li)(li)(li)子(zi)

NIST溯源尺(chi)度標(biao)(biao)準，用(yong)于需要高度視覺反(fan)差的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)度標(biao)(biao)和參考應用(yong)領域(yu)。SUR-CAL 為各種硅晶片的(de)(de)(de)(de)(de)表面性狀的(de)(de)(de)(de)(de)檢(jian)測和標(biao)(biao)提供了(le)便利的(de)(de)(de)(de)(de)工具。產品的(de)(de)(de)(de)(de)粒(li)徑復合儀器(qi)廠家所需的(de)(de)(de)(de)(de)各種規格。SURF-CAL系列產品完符合SEMI行業協會的(de)(de)(de)(de)(de)建立(li)的(de)(de)(de)(de)(de)SSIS標(biao)(biao)指導(dao)準則， 微粒(li)粒(li)徑縱貫0.047到3.0微米(mi)的(de)(de)(de)(de)(de)范圍， 覆蓋了(le)半導(dao)體技(ji)術(shu)藍圖（ITRS）所義的(de)(de)(de)(de)(de)關(guan)鍵質控點

NIST溯源尺度標準，用(yong)于需要高度視覺反(fan)差(cha)的(de)(de)尺度標和參考(kao)應(ying)用(yong)領域。SUR-CAL 為各種硅晶片的(de)(de)表面性狀的(de)(de)檢測和標提供(gong)了(le)便利的(de)(de)工具。產品(pin)的(de)(de)粒(li)(li)徑(jing)復合儀器(qi)廠家(jia)所需的(de)(de)各種規(gui)格。SURF-CAL系(xi)列產品(pin)完符合SEMI行業協會的(de)(de)建立(li)的(de)(de)SSIS標指導(dao)(dao)準則(ze)， 微粒(li)(li)粒(li)(li)徑(jing)縱貫0.047到3.0微米的(de)(de)范圍， 覆蓋(gai)了(le)半導(dao)(dao)體技(ji)術藍圖（ITRS）所義的(de)(de)關鍵質(zhi)控點(dian)

NIST溯源尺(chi)度(du)標準(zhun)，用(yong)于需(xu)要高(gao)度(du)視覺反差的尺(chi)度(du)標和參考應用(yong)領域。SUR-CAL 為各(ge)種硅(gui)晶片(pian)的表面性(xing)狀的檢測和標提(ti)供(gong)了便利的工具。產品的粒(li)徑復合(he)儀器廠家所需(xu)的各(ge)種規格。SURF-CAL系列產品完符(fu)合(he)SEMI行(xing)業協會的建立的SSIS標指導準(zhun)則， 微(wei)粒(li)粒(li)徑縱貫0.047到3.0微(wei)米的范圍， 覆蓋了半導體技術藍(lan)圖（ITRS）所義的關鍵(jian)質控點